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本发明公开了一种具有多场板结构的氮化镓功率器件，由下而上依次设置有：衬底、成核层、缓冲层、第一插入层、第一GaN层、第二插入层、第二GaN层、AlGaN势垒层、钝化层、栅极场板、漏极场板、保护层、栅极插入层、p型GaN栅极、栅极金属、源极金...
该专利属于常熟理工学院所有，仅供学习研究参考，未经过常熟理工学院授权不得商用。

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