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本发明公开了一种沟槽栅器件的栅极串联电阻，沟槽栅器件的有源区中形成有多个并联的沟槽栅，沟槽栅包括第一沟槽和形成于第一沟槽内的栅氧化层和多晶硅栅；多晶硅栅通过对应的栅极总线连接到栅极焊盘；栅极总线包括多级，所需的栅极串联电阻设置在两级相邻的栅...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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