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本发明公开了一种超级结器件，包括：半导体衬底和表面的缓冲层和第一外延层；超级结的P型柱由填充于沟槽中的P型掺杂的第二外延层组成；沟槽的侧面角度和深度具有由光刻和刻蚀工艺带来的差异；至少部分沟槽的底部穿过进入到缓冲层；缓冲层的掺杂浓度大于第一...
该专利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华虹宏力半导体制造有限公司授权不得商用。

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