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本发明提供一种半导体器件及其制造方法，包括集成于同一芯片上的第一类高压nLDMOS器件、第一类高压pLDMOS器件、第二类高压nLDMOS器件、第二类高压pLDMOS器件、低压NMOS器件、低压PMOS器件和低压NPN器件；第一p型降场层位...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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