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本发明公开一种集成电路装置及形成集成电路的方法，其中该集成电路装置包含有一互补式金属氧化物半导体影像传感器。此互补式金属氧化物半导体影像传感器包含一P‑N结二极管、一晶体管栅极、一多晶硅插塞以及一堆叠的金属层。P‑N结二极管设置于一基底中。...
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