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本申请提供了一种碳化硅单晶位错检测方法，利用氢等离子体或者氧等离子体的刻蚀特性，刻蚀碳化硅晶圆表面，得到碳化硅单晶中的位错缺陷，既可以选择对C面刻蚀、也可以对Si面刻蚀，不采用强碱熔融作为腐蚀液，安全且高效，另外，由于微波等离子体腔体较大，...
该专利属于广州南砂晶圆半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州南砂晶圆半导体技术有限公司授权不得商用。

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