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本发明涉及一种单晶硅锭及其制备方法、铸造单晶硅片及其制备方法。单晶硅锭的制备方法包括如下步骤：提供坩埚和籽晶，籽晶沿垂直于晶体生长方向的尺寸小于210mm；在坩埚的底部铺设至少四个籽晶，相邻两个籽晶相互抵接，得到籽晶单元；籽晶单元沿垂直于晶...
该专利属于江苏协鑫硅材料科技发展有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过江苏协鑫硅材料科技发展有限公司授权不得商用。

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