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本文提供了用于在半导体衬底上形成金属膜(如钨(W)及钼(Mo)膜)的方法和装置。所述方法涉及形成还原剂层，然后将该还原剂层暴露于金属前体以将该还原剂层转换为金属层。在某些实施方案中，该还原剂层为含有硅(Si‑)和硼(B‑)的层。所述方法可涉...
该专利属于朗姆研究公司所有，仅供学习研究参考，未经过朗姆研究公司授权不得商用。

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