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本发明揭露一种半导体多站处理腔体，其中每一站包含：由多个壁所定义的一下沉空间，其提供有用于支撑基板或晶圆的一支撑座，该支撑座与定义该下沉空间的多个内壁之间形成一第一间隙；一覆盖组件，固定于一盖体且位于该支撑座的上方以定义一处理区，该覆盖组件...
该专利属于沈阳拓荆科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过沈阳拓荆科技有限公司授权不得商用。

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