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一种半导体器件及其形成方法，方法包括：提供衬底；形成位于衬底上的栅极结构和位于栅极结构两侧衬底内的源漏掺杂层；在所述衬底上形成介质层，所述介质层覆盖栅极结构和源漏掺杂层；在介质层内形成位于源漏掺杂层上的第一沟槽，所述第一沟槽底部表面低于栅极...该专利属于中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司授权不得商用。