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实施方式提供一种能够使读出动作高速化的半导体存储装置。实施方式的半导体存储装置具备：位线(BL)，连接于存储单元；节点(SEN)，电连接于位线(BL)；驱动器(T10)及(T4)，将节点(SEN)充电至第一电压；数据锁存电路(SDL)，基于...
该专利属于东芝存储器株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过东芝存储器株式会社授权不得商用。

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