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一些实施例包括一种形成组件(例如，存储器阵列)的方法。通过交替的第一级和第二级的堆叠形成第一开口。第一级包含氮化硅，而第二级包含二氧化硅。用存储器单元结构代替第二级的一些二氧化硅。存储器单元结构包括与电荷阻挡区域相邻的电荷存储区域。在第一开...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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