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公开了具有带有自然氧化层的沟道结构的3D存储器件及其形成方法的实施例。在示例中，公开了一种用于形成3D存储器件的方法。在衬底上形成电介质堆叠层。衬底上的电介质堆叠层包括交错的第一电介质层和第二电介质层。形成垂直延伸穿过电介质堆叠层的开口。沿...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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