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本发明涉及一种Si‑B‑C三组元相的高通量制备方法，包括：（1）将多片基板分别放入到沉积反应室中的不同区域内；（2）抽真空、充入惰性气体再抽真空；（3）加热所述沉积反应室中的所述不同区域至不同的设定温度以使所述不同区域处于不同的温度场；（4...
该专利属于中国科学院上海硅酸盐研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院上海硅酸盐研究所授权不得商用。

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