温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本文提供了一种功率晶体管组件和减轻功率晶体管组件中的短沟道效应的方法。功率晶体管组件包括：第一半导体材料层，该第一半导体材料层由第一导电型材料形成；和硬掩模层，该硬掩模层覆盖第一层的至少一部分并且具有穿过其暴露第一层的表面的窗口。功率晶体管...
该专利属于美高森美公司所有，仅供学习研究参考，未经过美高森美公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。