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本实用新型公开了一种硅基氮化镓外延结构，包括硅衬底，依次设于硅衬底上的Al层、含氮缓冲层、剥离层、N‑GaN层、有源层和P‑GaN层；所述含氮缓冲层包括AlN层、AlGaN层和GaN层，所述AlN层设置在Al层和AlGaN层之间，所述GaN...
该专利属于佛山市国星半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过佛山市国星半导体技术有限公司授权不得商用。

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