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本实用新型公开了生长在石墨烯基板上GaN纳米柱阵列的柔性紫外探测器。所述柔性紫外探测器自下至上依次包括柔性衬底、所述柔性衬底上的一对叉指电极、所述叉指电极上方的石墨烯层以及生长在石墨烯层上面的GaN纳米柱阵列。本实用新型的柔性紫外探测器一方...
该专利属于华南理工大学所有，仅供学习研究参考，未经过华南理工大学授权不得商用。

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