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本实用新型公开了一种SiC‑MOS器件结构，包括自下而上依次设置的金属漏极、碳化硅N+衬底和碳化硅N‑外延层，所述碳化硅N‑外延层左上方和右上方均具有源极沟槽，所述源极沟槽下方自上而下具有碳化硅P+掺杂区以及碳化硅P型掺杂区，所述源极沟槽内...
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