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一种大规模单片集成的硅基III‑V族电泵激光器及其制备方法，该制备方法包括在图形化的SOI衬底上生长III‑V族波导结构，制备第二二氧化硅层，仅保留III‑V族波导结构相邻的第一二氧化硅层和第二二氧化硅层；去除SOI衬底的顶层硅，仅保留第一...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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