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本发明公开了一种高速高响应度的硅基光电二极管及其制备方法,在不影响光电二极管响应度的前提下,解决了硅基光电二极管响应速度慢的问题。本发明通过低阻材料降低了扩散区电阻,缩短了扩散时间;通过增加高反层,降低了耗尽区的物理厚度,缩短了漂移时间;通...该专利属于欧跃半导体(西安)有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过欧跃半导体(西安)有限公司授权不得商用。
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本发明公开了一种高速高响应度的硅基光电二极管及其制备方法,在不影响光电二极管响应度的前提下,解决了硅基光电二极管响应速度慢的问题。本发明通过低阻材料降低了扩散区电阻,缩短了扩散时间;通过增加高反层,降低了耗尽区的物理厚度,缩短了漂移时间;通...