温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

沟槽型功率半导体器件及其制备方法，本发明涉及一种功率半导体器件的结构以及其制造方法，在本发明的屏蔽栅沟槽型场效应管结构中，包含一系列相互平行的沟槽。沟槽中包含栅电极和屏蔽栅电极，两者之间相互隔离，根据栅电极和屏蔽栅电极在沟槽内的结构，可以把...
该专利属于安建科技(深圳)有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过安建科技(深圳)有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。