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本发明公开了一种鳍型结构的功率MOSFET，包括衬底、成型在衬底正面上的外延层、若干间隔且平行成型在所述外延层上的鳍型硅墙、成型在所述相邻鳍型硅墙之间的掺杂多晶硅层、成型在掺杂多晶硅层正面上且位于相邻鳍型硅墙之间的BPSG层以及覆盖在鳍型硅...
该专利属于上海朕芯微电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海朕芯微电子科技有限公司授权不得商用。

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