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本申请实施例提供一种半导体器件及其制作方法，该半导体器件包括衬底、形成于衬底上的外延层以及依次形成于外延层远离衬底一侧的多层栅介质层。其中，各层栅介质层上开设有贯穿其中的栅凹槽，且各栅介质层上的栅凹槽的侧壁呈斜坡状。如此，通过多层栅介质层上...
该专利属于厦门市三安集成电路有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安集成电路有限公司授权不得商用。

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