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本发明公开了一种硅基Ⅳ族合金条及其制备方法，该硅基Ⅳ族合金条包括：衬底和衬底上的GeSn合金条，可实现直接带隙；其制备方法包括：清洗衬底；将清洗后的衬底送入真空生长腔室，进行脱氢脱氧处理；调节衬底温度；在衬底上共同沉积Ge原子和Sn原子，开...
该专利属于中国科学院半导体研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所授权不得商用。

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