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本发明公开了一种防止在套刻对准标记上形成残留物的方法，包括：形成鳍体和浅沟槽场氧；形成套刻对准标记；形成栅介质层；形成多晶硅层；依次形成第一氮化硅层和第二氧化硅层；氮化硅层的厚度大于氧化硅层顶部表面的凹陷深度；进行以第一氮化硅层为研磨终点的...
该专利属于上海华力集成电路制造有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海华力集成电路制造有限公司授权不得商用。

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