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本发明属于半导体技术领域，主要运用在第三代化合物半导体及功率器件，具体是一种低位错密度氮化物的外延层生长方法。所述方法在缓冲层AlN和缓冲层AlxGa1‑xN的生长过程中通入卤化物，HCl、HBr、CCl...
该专利属于大连芯冠科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过大连芯冠科技有限公司授权不得商用。

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