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本发明公开一种应用于反熔丝FPGA的多电平选择结构，属于集成电路设计技术领域。所述多电平选择结构包括第一通路，对需要编程的反熔丝一端施加编程电压VPP进行高压编程烧写；第二通路，为未编程的反熔丝提供电压VKS进行预充电保护；第三通路，当反熔...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十八研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十八研究所授权不得商用。

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