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一种用于形成III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括确定第一III族氮化物接触层和第一金属接触的功函数。第一III族氮化物接触层的功函数是基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的。基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数和第...
该专利属于阿卜杜拉国王科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过阿卜杜拉国王科技大学授权不得商用。

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