具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法技术

一种用于形成III族氮化物半导体器件的方法，所述方法包括确定第一III族氮化物接触层和第一金属接触的功函数。第一III族氮化物接触层的功函数是基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的。基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数和第一金属接触的功函数，确定应该调节的第一III族氮化物接触层的功函数。形成III族氮化物半导体器件包括：与第二III族氮化物接触层相邻的第一III族氮化物接触层、布置在第一III族氮化物接触层上的第一金属接触、以及布置在第二III族氮化物接触层上的第二金属接触。所形成的III族氮化物半导体器件的第一III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于第一III族氮化物接触层的III族元素确定的第一金属层的功函数来调节第一III族氮化物接触层的功函数。

Group III nitride semiconductor devices with boron nitride alloy contact layer and their manufacturing methods

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】具有氮化硼合金接触层的III族氮化物半导体器件及其制造方法本申请要求于2017年10月16日提交的标题为“BORONCONTAININGIII-NITRIDEMETALCONTACTLAYERS”的美国临时专利申请No.62/572,672的优先权，其全部公开内容通过引用合并于此。
技术介绍

所公开的主题的实施例大体上涉及具有至少一个接触层的III族氮化物半导体器件，该接触层具有氮化硼合金以相对于没有硼的接触层的功函数来调节接触层的功函数。
技术介绍
的讨论III族氮化物半导体(氮化铝(AlN)、氮化镓(GaN)、氮化铟(InN)、氮化硼(BN)及其合金)已成为用于制造例如发光二极管(LED)、激光二极管、光电探测器的光电子器件以及用于制造例如高电子迁移率晶体管(HEMT)的高功率电子设备的关键材料。低电阻欧姆接触的形成对于进一步改善III型氮化物器件的电气性能和光学性能至关重要，因为大的接触电阻能够导致整个接触界面的大的压降，导致功率效率差以及由于发热问题而降低了的设备的可靠性。掺杂半导体层上的金属接触是本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于形成III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)的方法，所述方法包括：/n确定(205)第一III族氮化物接触层(310、320)和第一金属接触(325A、325B)的功函数，其中，所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数是基于所述第一III族氮化物接触层(310、320)的III族元素来确定的；/n基于所确定的所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数和所述第一金属接触(325A、325B)的功函数，确定(210)应该调节所述第一III族氮化物接触层的功函数(310、320)；以及/n形成(215)所述III族氮化物半导体器件(300A、30...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】20171016 US 62/572,6721.一种用于形成III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)的方法，所述方法包括：
确定(205)第一III族氮化物接触层(310、320)和第一金属接触(325A、325B)的功函数，其中，所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数是基于所述第一III族氮化物接触层(310、320)的III族元素来确定的；
基于所确定的所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数和所述第一金属接触(325A、325B)的功函数，确定(210)应该调节所述第一III族氮化物接触层的功函数(310、320)；以及
形成(215)所述III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)，其包括：与第二III族氮化物接触层(310、320)相邻的所述第一III族氮化物接触层(310、320)、布置在所述第一III族氮化物接触层(310、320)上的所述第一金属接触(325A、325B)以及布置在所述第二III族氮化物接触层(310、320)上的第二金属接触(325A、325B)；
其中，所形成的III族氮化物半导体器件(300A、300B、300C)的所述第一III族氮化物接触层(310、320)是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于所述第一III族氮化物接触层(310、320)的III族元素确定的第一金属层的功函数来调节所述第一III族氮化物接触层(310、320)的功函数。


2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
确定所述第二III族氮化物接触层的功函数和所述第二金属接触的功函数；和
基于所确定的所述第二III族氮化物接触层的功函数和所述第二金属接触的功函数，确定应该调节所述第二III族氮化物接触层的功函数，
其中，所形成的III族氮化物半导体器件的所述第二III族氮化物接触层是具有一定量的硼的氮化硼合金，以相对于基于所述第二III族氮化物接触层的III族元素确定的所述第二金属层的功函数来调节所述第二III族氮化物接触层的功函数。


3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述第二III族氮化物接触层的III族元素是镓、铟或铝中的一种或更多种。


4.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第一III族氮化物接触层的III族元素是镓、铟或铝中的一种或更多种。


5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物半导体器件的形成还包括：
在所述第一III族氮化物接触层与所述第二III族氮化物接触层之间形成半导体层。


6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述III族氮化物半导体器件的形成还包括：
在所述第一III族氮化物接触层与所述第二III族氮化物接触层之间形成两个半导体层的异质结。


7.根据权利要求1所述的方法，其中，
基于所确定的所述第一金属接触的功函数和基于所确定的第一III族氮化物接触层的功函数，在所述第一III族氮化物接触层与所述第一金属接触之间将形成肖特基接触，所述第一III族氮化物接触层的功函数是基于所述第一III族氮化物接触层的III族元素确定的，以及
基于所确定的所述第一金属接触的功函数和基于所确定的所述第一III族氮化物接触层的功函数，在所形成的第一III族氮化物接触层与所形成的第一金属接触之间形成欧姆接触，所述第一III族氮化物接触层的功函数是基于氮化硼合金确定的。


8.根据权利要求2所述的方法，其中，
基于所确定的所述第二金属接触的功函数和基于所确定的所述第二III族氮化物接触层的功函数，在所述第二III族氮化物接触层与所述第二金属接触之间形成肖特基接触，所述第二III族氮化物接触层的功函数是基于所述第二III族氮化物接触层的III族元素确定的，以及
基于所确定的所述第二金属接触的功函数和基于所确定...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙海定，李晓航，
申请(专利权)人：阿卜杜拉国王科技大学，
类型：发明
国别省市：沙特阿拉伯;SA