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本发明提供难以产生因电场集中引起的电击穿的肖特基势垒二极管。肖特基势垒二极管具备由氧化镓构成的半导体基板(20)、设置于半导体基板(20)上的由氧化镓构成的漂移层(30)、与漂移层(30)进行肖特基接触的阳极电极(40)、与半导体基板(20...该专利属于TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过TDK株式会社;株式会社田村制作所;诺维晶科股份有限公司授权不得商用。