温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

一种半导体装置(100)包含位于第一导电类型的半导体衬底(105)内的MOS晶体管(101)。所述晶体管(101)包含位于漏极阱(130)与衬底接触阱(160)之间的主体阱(135)。第二导电类型的掩埋电压阻挡区(155)位于所述衬底(10...
该专利属于德州仪器公司所有，仅供学习研究参考，未经过德州仪器公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。