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本发明公开了一种硅碳负极的制备方法，使用等离子体平台，以含硅材料作为硅源，以含氮气氛为气源，对碳材料进行氮元素掺杂并沉积硅基纳米颗粒，得到所述的硅碳负极。本发明所述的硅碳负极的制备方法采用多孔碳材料能够增加材料导电性，提升材料倍率性能及稳定...
该专利属于东南大学所有，仅供学习研究参考，未经过东南大学授权不得商用。

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