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本申请涉及半导体领域，公开了一种沟槽栅功率MOSFET及其制造方法。本申请沟槽栅功率MOSFET的制造方法包括：在宽禁带半导体衬底上生长具有第一导电类型的外延层；在外延层上形成具有第二导电类型的体区；在体区内通过刻蚀形成沟槽；将第一离子沿宽...
该专利属于上海瞻芯电子科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海瞻芯电子科技有限公司授权不得商用。

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