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本发明实施例提供一种半导体结构及其形成方法，包括：绝缘层位于基板之上；半导体层位于绝缘层之上；以及外延层位于该半导体层之上。半导体层包括：第一埋藏层，具有第一导电类型；以及第二埋藏层位于第一埋藏层之上，具有与第一导电类型相反的第二导电类型，...
该专利属于世界先进积体电路股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过世界先进积体电路股份有限公司授权不得商用。

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