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本发明提供了一种三维存储器及其制造方法。其中，方法包括：提供基底结构；基底结构至少包括：衬底，位于衬底上的堆叠结构，穿过堆叠结构且延伸至衬底的存储沟道孔(CH)和虚拟沟道孔(DCH)，位于CH和DCH底部的导电连接层以及位于CH和DCH侧壁...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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