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本申请提供了一种碳化硅籽晶及降低碳化硅单晶中穿透型位错密度的方法，通过在籽晶背部开设沟槽、并在沟槽中填充与碳化硅热导率不同的材料，或者，直接在籽晶背部镀与碳化硅热导率不同的薄膜，这样，籽晶的背面存在两种热导率不同的物质，使得散热不均匀时，会...
该专利属于广州南砂晶圆半导体技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过广州南砂晶圆半导体技术有限公司授权不得商用。

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