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本发明公开一种III‑V族/硅材料开槽键合的激光器结构及其方法，涉及混合激光器的结构设计领域，其方法包括：制备脊型波导结构；制作凹槽型III‑V族激光器；将所述脊型波导结构嵌入所述III‑V族激光器凹槽对准并进行键合，键合后形成倏逝波耦合结...
该专利属于中国科学院半导体研究所;中国科学院大学所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院半导体研究所;中国科学院大学授权不得商用。

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