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本发明涉及SiC化学气相沉积装置和SiC外延晶片的制造方法。该SiC化学气相沉积装置具有在内部构成沉积空间的炉体和位于上述沉积空间的下部且在载置面上载置SiC晶片的载置台，上述炉体在与上述载置台大致正交的上下方向上被分离为多个部件，上述多个...
该专利属于昭和电工株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过昭和电工株式会社授权不得商用。

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