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本公开涉及一种半导体装置的形成方法。该方法包括蚀刻栅极结构以形成沟槽延伸至栅极结构中，其中沟槽的侧壁包括金属氧化物材料；对沟槽的侧壁进行侧壁处理制程，其中侧壁处理制程的结果为移除金属氧化物材料；以及将第一介电材料填入沟槽以形成介电区，其中介...
该专利属于台湾积体电路制造股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过台湾积体电路制造股份有限公司授权不得商用。

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