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本发明涉及一种用于介质背景中的多层硅隐身斗篷，采用多层柱状结构，其中核心为PEC电导体圆柱，电导体圆柱外周交替的包裹两种材料，一种为相对电磁参数为1的自由空间，另一种为介电常数较大的硅材料。优化多层结构中这两种材料的厚度使得散射截面取最小值...
该专利属于金陵科技学院所有，仅供学习研究参考，未经过金陵科技学院授权不得商用。

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