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本实用新型涉及一种耐高压高EMI超结MOSFET芯片，包括底层的N+型重掺杂衬底，上述N+型重掺杂衬底上面依次设置N‑型辅助层、N型漂移层；上述N型漂移层内部上方设置有第一P型体区和第二P型体区；上述第一P型体区、第二P型体区的上端均连接有...该专利属于深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司授权不得商用。