温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本公开涉及半导体存储器单元和存储器电路。一种方法可以用来对存储器单元进行不可逆地编程，存储器单元包括MOS晶体管，MOS晶体管具有通过沟道区域分离的第一源极/漏极区域和第二源极/漏极区域，沟道区域邻近栅极区域。方法包括沿第一源极/漏极区域的...
该专利属于意法半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过意法半导体有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。