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本发明公开了一种氧化镓高电子迁移率异质结晶体管及其制备方法，制备方法包括：在氧化镓外延片的上表面全片形成第一钝化层；去除源区和漏区的第一钝化层；形成源区和漏区的第一金属层，退火处理，形成源极和漏极；无源区形成重掺杂区；全片形成第二钝化层；去...
该专利属于中国电子科技集团公司第五十五研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国电子科技集团公司第五十五研究所授权不得商用。

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