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本发明提供了一种深硅刻蚀方法，包括：对涂有光刻胶的硅片实施主刻蚀步，在主刻蚀步中，交替进行多次沉积工艺与刻蚀工艺，以在硅片上形成深硅槽结构，在主刻蚀步之前，还包括预轰击步，在预轰击步中，通入惰性气体，将惰性气体激发为等离子体，并通过等离子体...
该专利属于北京北方华创微电子装备有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过北京北方华创微电子装备有限公司授权不得商用。

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