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本发明提供了一种反应烧结碳化硅陶瓷内部缺陷的制备方法，包括以下步骤：制备两块形状大小相同、表面平整的碳化硅素坯；在其中一块多孔碳化硅素坯表面按照设计缺陷的位置涂抹惰性无机物，使涂抹惰性无机物后的成形区域与设计缺陷的形状、大小保持一致；在预制...
该专利属于中国科学院长春光学精密机械与物理研究所所有，仅供学习研究参考，未经过中国科学院长春光学精密机械与物理研究所授权不得商用。

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