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本实用新型提供一种高增益有源区及一种VCSEL，高增益有源区包括至少一个量子阱垒层，所述量子阱垒层包括层叠的垒层和阱层，所述垒层包括依次层叠的未掺杂第一垒层、P型掺杂第二垒层和未掺杂第三垒层，所述P型掺杂第二垒层远离所述阱层设置。未掺杂第一...
该专利属于厦门乾照半导体科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门乾照半导体科技有限公司授权不得商用。

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