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公开了一种用于形成三维(3D)存储器件的方法。在一些实施例中，该方法包括：在衬底上形成交替介电堆叠体；以及形成多个沟道孔，多个沟道孔垂直地穿透交替介电堆叠体以暴露衬底的至少一部分。可以形成第一掩模以覆盖第一区域中的沟道孔并且暴露第二区域中的...
该专利属于长江存储科技有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过长江存储科技有限责任公司授权不得商用。

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