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一种金属‑电介质键合方法包括：提供第一半导体结构，所述第一半导体结构包括第一半导体层、处于第一半导体层上的第一电介质层和处于第一电介质层上的第一金属层，其中，第一金属层具有背对第一半导体层的金属键合表面；使金属键合表面平面化；对金属键合表面...
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