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具有低功耗功能的抗电荷共享D锁存器,属于集成电路可靠性中的抗核加固领域。解决了传统的抗电荷共享的D锁存器所需晶体管多、面积大、功耗开销大的问题。本发明包括30个晶体管，具体为20个PMOS晶体管P1至P20和10个NMOS晶体管N1至N10...
该专利属于中北大学所有，仅供学习研究参考，未经过中北大学授权不得商用。

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