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本发明属于功率半导体技术领域，涉及一种具有集成续流二极管的GaN纵向场效应晶体管。在反向续流时，集成二极管导通，具有低的导通压降及快的反向恢复特性。在正向导通时，集成二极管处于关断状态，不影响场效应晶体管的正向导通。在正向阻断时，由于P阱及...
该专利属于电子科技大学所有，仅供学习研究参考，未经过电子科技大学授权不得商用。

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